產(chǎn)品名稱(chēng)：碳化鉭（TaC）
規格：0.8-10um（D50）
形貌：不規則
顏色：黑灰色
特點(diǎn)：高熔點(diǎn)、高硬度、高彈性模量、良好的化學(xué)穩定性和耐腐蝕性
用途：硬質(zhì)合金、切削工具、軍事、電極材料、金屬基復合材料等領(lǐng)域
中文名稱(chēng)：碳化鉭
CAS No.：12070-06-3
EINECS號：235-118-3
分子式：TaC
分子量：192.96
熔點(diǎn)：3880℃
沸點(diǎn)：5500℃
硬度：2100HV0.05
晶型：淺棕色金屬狀立方結晶粉末，屬于氯化鈉型立方晶系。
密度：14.3g/cm3
電阻：室溫為30Ω
性質(zhì)：碳化鉭（TaC）是一種超高溫陶瓷材料，所謂超高溫陶瓷（UHTCs）通常指熔點(diǎn)超過(guò)3000℃，并在2000℃以上的高溫及腐蝕環(huán)境中（如氧原子環(huán)境）使用的一類(lèi)陶瓷材料，如ZrC、HfC、TaCHfB2、ZrB2、HfN等。碳化鉭熔點(diǎn)高達3880℃，具有高硬度（莫氏硬度9～10）、較大的導熱系數（22W·m-1·K-1）、較大的抗彎強度（340～400MPa），以及較小的熱膨脹系數（6.6×10-6K-1），并展現出優(yōu)良的熱化學(xué)穩定性和優(yōu)異的物理性能，與石墨及C/C復合材料具有良好的化學(xué)相容性和力學(xué)相容性，不溶于水，難溶于無(wú)機酸，能溶于氫氟酸和硝酸的混合酸中并可分解?？寡趸芰?，易被焦硫酸鉀熔融并分解。
制備方法:
（1）還原法
氧化鉭或碳粉末與碳混合，在高溫、氫氣保護下或真空條件下進(jìn)行一次及二次碳化生成碳化鉭。需要進(jìn)行二次碳化的原因是首次碳化由于多種因素的影響，碳化不徹底，產(chǎn)品中的化合碳、游離碳及雜質(zhì)等都難達到要求。二次碳化在真空條件下過(guò)量的碳與鉭生成碳化物。影響碳化物質(zhì)量的主要因素有：配碳量、原料粒度與純度、裝料方式、碳化溫度、碳化時(shí)間、二次碳化等。
（2）化合法
化合法是一種常見(jiàn)的固相法制備TaC工藝。在一定的條件下，Ta和C發(fā)生化學(xué)反應直接生成TaC：Ta（s）+C（s）→TaC（s）
（3）化學(xué)氣相沉積法
CVD法制備TaC涂層需要用到源物質(zhì)-TaCl5。TaCl5在500K時(shí)氣化，將氣化了的TaCl5做為氣源倒入CVD爐，與其他導入的還原氣氛一起沉積生成TaC。
應用領(lǐng)域：
1）TaC具有優(yōu)良的熱化學(xué)穩定性和優(yōu)異的物理性能，且與石墨具有良好的化學(xué)相容性和力學(xué)相容性，在石墨表面制備TaC涂層，可以有效增強其抗氧化、抗腐蝕、耐磨及力學(xué)性能等。尤其適用于MOCVD設備生長(cháng)GaN或AlN單晶和PVT設備生長(cháng)SiC單晶，所生長(cháng)的單晶質(zhì)量得到明顯提高。由于TaC涂層對H2，HCl，NH3具有優(yōu)異的耐酸堿性，在碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈中，TaC還可在MOCVD等外延處理過(guò)程中完全保護石墨基體材料，凈化生長(cháng)環(huán)境。
2）多孔碳化鉭陶瓷可更好的實(shí)現氣相組元過(guò)濾，調整局部溫度梯度，引導物質(zhì)流方向，控制泄漏等。
3）隨著(zhù)現代飛行器如航空航天器、火箭、導彈向著(zhù)高速、高推力、高空的方向發(fā)展，對其表面材料在極端條件下的耐高溫性和抗氧化性要求也越來(lái)越高。飛行器進(jìn)入大氣層時(shí)面臨著(zhù)熱流密度高、駐點(diǎn)壓力大和氣流沖刷速度快等極端環(huán)境，同時(shí)面臨著(zhù)與氧氣、水蒸氣和二氧化碳反應而產(chǎn)生的化學(xué)燒蝕。在飛行器飛出和飛入大氣層時(shí)，其頭錐和機翼周?chē)目諝鈺?huì )受到劇烈壓縮而與飛行器表面產(chǎn)生較大的摩擦，導致其表面受氣流流動(dòng)加熱。飛行器表面除了在飛行過(guò)程中受氣動(dòng)加熱外，還會(huì )在飛行過(guò)程中受到太陽(yáng)輻射、環(huán)境輻射等的影響，使飛行器的表面溫度不斷升高，這一變化會(huì )嚴重影響飛行器的服役狀況。TaC是耐超高溫陶瓷家族的一員，高的熔點(diǎn)和出色的熱力學(xué)穩定性使TaC廣泛應用于飛行器熱端部位，例如可以對火箭發(fā)動(dòng)機噴管的表面涂層起到保護作用。
4）TaC還在切削工具、研磨材料、電子材料以及催化劑等領(lǐng)域具有廣泛應用前景。例如，將TaC添加在硬質(zhì)合金中可以阻止硬質(zhì)合金的晶粒生長(cháng)，提高硬質(zhì)合金的硬度，改善其使用壽命；TaC具有良好的導電性，并且可以組成非化學(xué)計量化合物，導電性隨組分不同而產(chǎn)生變化，這種特性使TaC在電子材料領(lǐng)域具有誘人的應用前景；在TaC的催化脫氫方面，有研究者對TiC、TaC的催化性能研究表明，在較低溫度下，TaC基本沒(méi)有催化活性，但在高于1000℃時(shí)，其催化活性明顯升高。對于CO的催化性能方面的研究發(fā)現，300℃時(shí)TaC的催化產(chǎn)物有甲烷、水以及少量的烯烴。
5）中子屏蔽材料：
鉭的中子吸收能力較弱，但碳化鉭的高密度和耐輻射性可用于核反應堆的防護結構或燃料包殼涂層。
存儲方法：本品應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長(cháng)久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團聚，影響分散性能和使用效果，另應避免重壓，勿與氧化劑接觸，按照普通貨物運輸。
